Hvad er principperne for keramik?

Termisk stråling
De grundlæggende veje for varmeveksling er ledning, konvektion og stråling. For effektivt at sprede varme opnår folk dette ofte ved at reducere varmestrømningsvejens termiske modstand og styrke konvektionskoefficienten, ofte ved at negligere termisk stråling. LED-lamper bruger generelt naturlig konvektion til at sprede varme. Varmen produceret af LED overføres hurtigt til radiatorens overflade af radiatoren. På grund af den lave konvektionskoefficient kan varmen ikke ledes ud i den omgivende luft i tide, hvilket resulterer i en stigning i overfladetemperaturen og en forringelse af LED-arbejdsmiljøet. Forøgelse af Radiance kan effektivt fjerne varmen på radiatoroverfladen i form af termisk stråling. Generelt forbedrer aluminiumsradiatorer overfladens udstråling gennem anodisk oxidation. Keramiske materialer kan have høje Radiance-egenskaber uden kompliceret efterfølgende behandling.
Strålingsmekanisme
Keramiske materialers strålingsmekanisme genereres af de ikke-resonante virkninger af tilfældige vibrationer af to fononer og flere fononer. Keramiske materialer med høj stråling, såsom siliciumcarbid, metaloxid, borid osv., har alle ekstremt stærke infrarøde aktiverede polære vibrationer. På grund af den ekstremt stærke anharmoniske effekt har absorptionskoefficienten for dobbeltfrekvens- og frekvensområdet generelt størrelsesordenen 100-100cm-1, hvilket svarer til den lavere reflektivitet af det resterende reflektionsbånd i området for absorptionsområdet med mellemintensitet. Derfor er det befordrende for dannelsen af ​​et relativt fladt stærkt strålingsbånd.
Generelt strækker strålingsbånd med høj termisk strålingseffektivitet sig fra stærke resonansbølgelængder til hele to-fononkombinations- og frekvensområdet af korte bølger, inklusive nogle multi-fononkombinationsområder. Dette er et fælles træk ved de fleste strålingsbånd i keramiske materialer med høj stråling. Det kan siges, at stærke strålingsbånd hovedsageligt stammer fra de to-fononkombinationsstrålinger i dette bånd. Med få undtagelser er strålingsbåndene for strålingskeramik generelt koncentreret i de to fonon- og tre fononområder større end 5m. For keramik med infrarød stråling kommer strålingen i 1-5m-båndet derfor hovedsageligt fra intrabåndovergangene af frie bærere eller direkte overgange af elektroner fra urenhedsniveauer til ledningsbånd, mens stråling i båndet på mere end 5m hovedsageligt tilskrives to-fonon-kombinationsstråling.